TPC8221-H,LQ(S

TPC8221-H,LQ(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPC8221-H,LQ(S
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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TPC8221-H,LQ(S Descrizione dettagliata

Numero di parte TPC8221-H,LQ(S
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 10V
Potenza - Max 450mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Peso -
Paese d'origine -

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