TPC8221-H,LQ(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TPC8221-H,LQ(S
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	TPC8221-H,LQ(S
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 10V
Potencia - Max	450mW
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP
Peso	-
País de origen	-

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