TPC6110(TE85L,F,M)

TPC6110(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPC6110(TE85L,F,M)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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TPC6110(TE85L,F,M) Descrizione dettagliata

Numero di parte TPC6110(TE85L,F,M)
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 2.2A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore VS-6 (2.9x2.8)
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso -
Paese d'origine -

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