TPC6110(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPC6110(TE85L,F,M)
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 10V
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 2.2A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	VS-6 (2.9x2.8)
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TPC6110	TOS	TPC6110 TOS VS-6(2.. New Original Stocks	Détails
TPC6110(TE85L,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6	Détails
TPC6111	TOSHIBA	TPC6111 TOSHIBA SOT-16.. New Original Stocks	Détails
TPC6111(TE85L,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6	Détails
TPC6113(TE85L,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 5A VS6	Détails