TPC6011(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: TPC6011(TE85L,F,M)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET N-CH 30V 6A VS6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	TPC6011(TE85L,F,M)
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VS-6 (2.9x2.8)
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TPC6010-H(TE85L,FM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6	Dettagli
TPC6011	TOS	TPC6011 TOS TSOP6 New Original Stocks	Dettagli
TPC6011(TE85L,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 6A VS6	Dettagli
TPC6012	TOS	TPC6012 TOS SOT-26 New Original Stocks	Dettagli
TPC6012(TE85L,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 6A VS6	Dettagli