TPC6011(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPC6011(TE85L,F,M)
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	700mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	VS-6 (2.9x2.8)
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TPC6010-H(TE85L,FM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6	Einzelheiten
TPC6011	TOS	TPC6011 TOS TSOP6 New Original Stocks	Einzelheiten
TPC6011(TE85L,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 6A VS6	Einzelheiten
TPC6012	TOS	TPC6012 TOS SOT-26 New Original Stocks	Einzelheiten
TPC6012(TE85L,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 6A VS6	Einzelheiten