TK9A65W,S5X Descrizione dettagliata
Numero di parte |
TK9A65W,S5X |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
9.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
20nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
700pF @ 300V |
Vgs (massimo) |
±30V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
30W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
500 mOhm @ 4.6A, 10V |
temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-220SIS |
Pacchetto / caso |
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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