TK9A65W,S5X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK9A65W,S5X
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 350µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4.6A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK9A45D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS	Einzelheiten
TK9A55DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS	Einzelheiten
TK9A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS	Einzelheiten
TK9A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS	Einzelheiten
TK9A90E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V TO220SIS	Einzelheiten