TK8R2A06PL,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK8R2A06PL,S4X
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1990pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
Paese d'origine	-