TK8R2A06PL,S4X

TK8R2A06PL,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK8R2A06PL,S4X
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
700 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.74/pcs
Notre prix
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TK8R2A06PL,S4X Description détaillée

Numéro d'article TK8R2A06PL,S4X
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-220SIS
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

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