| Numero di parte | TK7A60W,S4VX |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 350µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 300V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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TK7A45DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS | Dettagli |
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TK7A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS | Dettagli |
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TK7A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS | Dettagli |
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TK7A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS | Dettagli |
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TK7A60W5,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS | Dettagli |
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TK7A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS | Dettagli |
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TK7A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS | Dettagli |
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TK7A90E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 900V TO220SIS | Dettagli |
