TK39N60X,S1F

TK39N60X,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TK39N60X,S1F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
350 pcs
Prezzo di riferimento
USD 7.21/pcs
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TK39N60X,S1F Descrizione dettagliata

Numero di parte TK39N60X,S1F
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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