SSM6N7002BFU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	SSM6N7002BFU,LF
Stato parte	Last Time Buy
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 25V
Potenza - Max	300mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	US6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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