SSM6N55NU,LF(T - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	SSM6N55NU,LF(T
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
Potenza - Max	1W
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-µDFN(2x2)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SSM6N04FU	TOSHIBA	SSM6N04FU TOSHIBA SOT363 New Original Stocks	Dettagli
SSM6N05FU	TOS	SSM6N05FU TOS SC70 New Original Stocks	Dettagli
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SSM6N15AFE,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6	Dettagli
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SSM6N16FUTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6	Dettagli