| Numero di parte | SSM6N42FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 10V |
| Potenza - Max | 150mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 (1.6x1.6) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SSM6N42FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 | Dettagli |
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