SSM3K35MFV,L3F

SSM3K35MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM3K35MFV,L3F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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SSM3K35MFV,L3F Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM3K35MFV,L3F
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 3V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore VESM
Pacchetto / caso SOT-723
Peso -
Paese d'origine -

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