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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › RN1423TE85LF
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
RN1423TE85LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
RN1423TE85LF Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
245130 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1109/pcs
Il nostro prezzo
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RN1423TE85LF Descrizione dettagliata

Numero di parte RN1423TE85LF
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 300MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore S-Mini
Peso -
Paese d'origine -

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