RN1423TE85LF

RN1423TE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN1423TE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
228381 pcs
Referenzpreis
USD 0.1109/pcs
Unser Preis
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RN1423TE85LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN1423TE85LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 4.7k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 100mA, 1V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 300MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket S-Mini
Gewicht -
Ursprungsland -

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