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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › 2SD2257,KEHINQ(J
2SD2257,KEHINQ(J

2SD2257,KEHINQ(J - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
2SD2257,KEHINQ(J
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TRANS NPN 3A 100V TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
2SD2257,KEHINQ(J Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
2SD2257,KEHINQ(J.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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3615 pcs
Prezzo di riferimento
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2SD2257,KEHINQ(J Descrizione dettagliata

Numero di parte 2SD2257,KEHINQ(J
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Corrente - Limite del collettore (max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Potenza - Max 2W
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NIS
Peso -
Paese d'origine -

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