2SA949-O(TE6,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	2SA949-O(TE6,F,M)
Stato parte	Last Time Buy
Transistor Type	PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)	50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	800mV @ 1mA, 10A
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Potenza - Max	800mW
Frequenza - Transizione	120MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92MOD
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2SA949-O(TE6,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 50MA 150V TO226-3	Dettagli
2SA949-Y(JVC1,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 50MA 150V TO226-3	Dettagli
2SA949-Y(T6JVC1,FM	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 50MA 150V TO226-3	Dettagli
2SA949-Y(T6ONK1,FM	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 50MA 150V TO226-3	Dettagli
2SA949-Y(T6SHRP,FM	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 50MA 150V TO226-3	Dettagli
2SA949-Y(TE6,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 50MA 150V TO226-3	Dettagli
2SA949-Y,F(J	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 50MA 150V TO226-3	Dettagli
2SA949-Y,ONK-1F(J	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 50MA 150V TO226-3	Dettagli
2SA949-Y,ONK-1F(M	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 50MA 150V TO226-3	Dettagli