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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2SA949-O(TE6,F,M)
2SA949-O(TE6,F,M)

2SA949-O(TE6,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SA949-O(TE6,F,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SA949-O(TE6,F,M) PDF-Online-Browsing
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2SA949-O(TE6,F,M).pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3642 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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2SA949-O(TE6,F,M) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SA949-O(TE6,F,M)
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 150V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 1mA, 10A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Leistung max 800mW
Frequenz - Übergang 120MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Lieferantengerätepaket TO-92MOD
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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