| Numero di parte | 1SV322(TPH3,F) |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Capacità @ Vr, F | 7.1pF @ 4V, 1MHz |
| Rapporto di capacità | 4.3 |
| Condizione del rapporto di capacità | C1/C4 |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 10V |
| Tipo diodo | Single |
| Q @ Vr, F | - |
| temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | USC |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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1SV322 | KEXIN | Silicon Epitaxial Planar Diode | Dettagli |
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1SV322(TPH3,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE VARACTOR 10V USC | Dettagli |
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1SV322TPH3F | TOSHIBA | 1SV322TPH3F TOSHIBA SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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1SV323,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE VARACTOR 10V ESC | Dettagli |
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1SV324 | KEXIN | Silicon Epitaxial Planar Diode | Dettagli |
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1SV324TPH3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE TCXO/VCO 10V USC | Dettagli |
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1SV325,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE VARACTOR 10V ESC | Dettagli |
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1SV328 | KEXIN | Silicon Epitaxial Planar Diode | Dettagli |
