1SS416,L3M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	1SS416,L3M
Stato parte	Active
Tipo diodo	Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Corrente - Rettificato medio (Io)	100mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	500mV @ 100mA
Velocità	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	50µA @ 30V
Capacità @ Vr, F	15pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	2-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	fSC
Temperatura operativa - Giunzione	125°C (Max)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
1SS400	ROHM	1SS400 ROHM SOD-42.. New Original Stocks	Dettagli
1SS400 RJG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523	Dettagli
1SS400 RKG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523	Dettagli
1SS400 RSG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523	Dettagli
1SS400(A)	CJ	1SS400(A) CJ SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
1SS400-G	Comchip Technology	DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD523	Dettagli
1SS400-GT/R13	COMCHIP	Surface Mount High Speed Switching Diode	Dettagli
1SS400-GT/R7	COMCHIP	Surface Mount High Speed Switching Diode	Dettagli
1SS400-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 90V 100MA SOD523	Dettagli
1SS400CS	ROHM	Switching diode	Dettagli