1SS416,L3M - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	1SS416,L3M
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	500mV @ 100mA
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	50µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F	15pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	2-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket	fSC
Betriebstemperatur - Kreuzung	125°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
1SS400	ROHM	1SS400 ROHM SOD-42.. New Original Stocks	Einzelheiten
1SS400 RJG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523	Einzelheiten
1SS400 RKG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523	Einzelheiten
1SS400 RSG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523	Einzelheiten
1SS400(A)	CJ	1SS400(A) CJ SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
1SS400-G	Comchip Technology	DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD523	Einzelheiten
1SS400-GT/R13	COMCHIP	Surface Mount High Speed Switching Diode	Einzelheiten
1SS400-GT/R7	COMCHIP	Surface Mount High Speed Switching Diode	Einzelheiten
1SS400-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 90V 100MA SOD523	Einzelheiten
1SS400CS	ROHM	Switching diode	Einzelheiten