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Casa › Categorie di Prodotto › Circuiti integrati (CI) › Memoria › TC58NYG2S0HBAI4
TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Numero di parte
TC58NYG2S0HBAI4
fabbricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descrizione
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
TC58NYG2S0HBAI4 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Memoria
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
28162 pcs
Prezzo di riferimento
USD 6.5/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

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TC58NYG2S0HBAI4 Descrizione dettagliata

Numero di parte TC58NYG2S0HBAI4
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 25ns
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria -
Tensione - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 63-TFBGA (9x11)
Peso -
Paese d'origine -

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