TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Número de pieza
TC58NYG2S0HBAI4
Fabricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descripción
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Memoria
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
28162 pcs
Precio de referencia
USD 6.5/pcs
Nuestro precio
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TC58NYG2S0HBAI4 Descripción detallada

Número de pieza TC58NYG2S0HBAI4
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria -
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 63-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 63-TFBGA (9x11)
Peso -
País de origen -

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