Numero di parte | TPS1100PWR |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.27A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (massimo) | +2V, -15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 504mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Peso | - |
Paese d'origine | - |