| Número de pieza | TPS1100PWR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 15V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.27A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 504mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
| Paquete / caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
TPS1001 | MOT | TPS1001 MOT NULL New Original Stocks | Detalles |
|
TPS1002 | MOT | TPS1002 MOT SMD or Through Hole New Original Stocks | Detalles |
 |
TPS1100D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | Detalles |
|
TPS1100DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | Detalles |
|
TPS1100DR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | Detalles |
|
TPS1100DRG4 | TI | TPS1100DRG4 TI SOP-8 New Original Stocks | Detalles |
|
TPS1100PW | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | Detalles |
|
TPS1100PWR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | Detalles |
|
TPS1101D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | Detalles |
|
TPS1101DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | Detalles |
