TPS1100PWR - Texas Instruments

Número de pieza	TPS1100PWR
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	15V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.27A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	+2V, -15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	504mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSSOP
Paquete / caja	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TPS1001	MOT	TPS1001 MOT NULL New Original Stocks	Detalles
TPS1002	MOT	TPS1002 MOT SMD or Through Hole New Original Stocks	Detalles
TPS1100D	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC	Detalles
TPS1100DG4	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC	Detalles
TPS1100DR	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC	Detalles
TPS1100DRG4	TI	TPS1100DRG4 TI SOP-8 New Original Stocks	Detalles
TPS1100PW	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP	Detalles
TPS1100PWR	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP	Detalles
TPS1101D	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC	Detalles
TPS1101DG4	Texas Instruments	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC	Detalles