CSD23203W - Texas Instruments

Numero di parte	CSD23203W
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	914pF @ 4V
Vgs (massimo)	-6V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-DSBGA
Pacchetto / caso	6-UFBGA, DSBGA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
CSD-1401MC	MURATA-PS	14-Bit, Fast-Settling Correlated Double Sampling Circuit	Dettagli
CSD-313D	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Dettagli
CSD-313E	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Dettagli
CSD-313EG	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Dettagli
CSD-313G	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Dettagli
CSD-313H	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Dettagli
CSD-313R	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Dettagli
CSD-313S	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Dettagli
CSD-313Y	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Dettagli
CSD-323D	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Dettagli