CSD23203W - Texas Instruments

Numéro d'article	CSD23203W
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	914pF @ 4V
Vgs (Max)	-6V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-DSBGA
Paquet / cas	6-UFBGA, DSBGA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CSD-1401MC	MURATA-PS	14-Bit, Fast-Settling Correlated Double Sampling Circuit	Détails
CSD-313D	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Détails
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