STN1N20 - STMicroelectronics

Numero di parte	STN1N20
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	206pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
STN0214	STMicroelectronics	TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223	Dettagli
STN02SYBN	Sullins Connector Solutions	CONN SHUNT 2MM OPEN TOP TIN 2POS	Dettagli
STN02SYBN-RC	Sullins Connector Solutions	CONN SHUNT 2MM OPEN TOP 2POS TIN	Dettagli
STN110NH02LT4	S	STN110NH02LT4 S TO252 New Original Stocks	Dettagli
STN1215-600B	ST	STN1215-600B ST TO-252 New Original Stocks	Dettagli
STN1802	STMicroelectronics	TRANS NPN 60V 3A SOT-223	Dettagli
STN1A60	SEMIWELL	Bi-Directional Triode Thyristor	Dettagli
STN1A80	SEMIWELL	Bi-Directional Triode Thyristor	Dettagli
STN1HNK60	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223	Dettagli
STN1N20	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 200V 1A SOT223	Dettagli