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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › STGW60H65DFB
STGW60H65DFB

STGW60H65DFB - STMicroelectronics

Numero di parte
STGW60H65DFB
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
IGBT 650V 80A 375W TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
STGW60H65DFB Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
207 pcs
Prezzo di riferimento
USD 5.26/pcs
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STGW60H65DFB Descrizione dettagliata

Numero di parte STGW60H65DFB
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A
Potenza - Max 375W
Cambiare energia 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 306nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 51ns/160ns
Condizione di test 400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 60ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Peso -
Paese d'origine -

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