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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › STGB30M65DF2
STGB30M65DF2

STGB30M65DF2 - STMicroelectronics

Numero di parte
STGB30M65DF2
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
IGBT 650V 30A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
STGB30M65DF2 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.1021/pcs
Il nostro prezzo
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STGB30M65DF2 Descrizione dettagliata

Numero di parte STGB30M65DF2
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Potenza - Max 258W
Cambiare energia 300µJ (on), 960µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 80nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 31.6ns/115ns
Condizione di test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 140ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Peso -
Paese d'origine -

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