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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › STGB30M65DF2
STGB30M65DF2

STGB30M65DF2 - STMicroelectronics

Numéro d'article
STGB30M65DF2
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
IGBT 650V 30A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STGB30M65DF2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2500 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.1021/pcs
Notre prix
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STGB30M65DF2 Description détaillée

Numéro d'article STGB30M65DF2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Puissance - Max 258W
Échange d'énergie 300µJ (on), 960µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 80nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 31.6ns/115ns
Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 140ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur D2PAK
Poids -
Pays d'origine -

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