STB12NM50ND Descrizione dettagliata
Numero di parte |
STB12NM50ND |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
30nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
850pF @ 50V |
Vgs (massimo) |
±25V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
100W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
380 mOhm @ 5.5A, 10V |
temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
D2PAK |
Pacchetto / caso |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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