STB100NF03L-03T4 - STMicroelectronics

Numero di parte	STB100NF03L-03T4
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6200pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
STB100N10F7	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK	Dettagli
STB100N6F7	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK	Dettagli
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