| Numero di parte | F50A |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 5000V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 100mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 8V @ 50mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 5000V |
| Capacità @ Vr, F | 2pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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F50 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 5KV 180MA AXIAL | Dettagli |
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F5001 | POLYFET | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | Dettagli |
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F5001H | FUJI | INTELIGENT POWER SWITCH | Dettagli |
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F502/J | Eaton | SCREW NICKEL PLATED #6-32 | Dettagli |
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F5022 | FUJI | F5022 FUJI SOT251 New Original Stocks | Dettagli |
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F5033 | FUJITSU | F5033 FUJITSU SOP8 New Original Stocks | Dettagli |
