| Artikelnummer | F50A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 5000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 8V @ 50mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 300ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 5000V |
| Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 5V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | Axial |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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F50 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 5KV 180MA AXIAL | Einzelheiten |
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F5001 | POLYFET | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | Einzelheiten |
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F5001H | FUJI | INTELIGENT POWER SWITCH | Einzelheiten |
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