SKI07114 - Sanken

Numero di parte	SKI07114
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	62A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4040pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 31.2A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SKI-FF530	EXSHINE	Infrared emitting diode which mounted high power 850 nm IR CHIP	Dettagli
SKI03021	Sanken	MOSFET N-CH 30V 85A TO-263	Dettagli
SKI03036	Sanken	MOSFET N-CH 30V 80A TO-263	Dettagli
SKI03063	Sanken	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263	Dettagli
SKI03087	Sanken	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263	Dettagli
SKI04024	Sanken	MOSFET N-CH 40V 85A TO-263	Dettagli
SKI04033	Sanken	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263	Dettagli
SKI04044	Sanken	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263	Dettagli
SKI06048	Sanken	MOSFET N-CH 60V 85A TO-263	Dettagli
SKI06073	Sanken	MOSFET N-CH 60V 78A TO-263	Dettagli