SKI07114 - Sanken

Número de pieza	SKI07114
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	62A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4040pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 31.2A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SKI-FF530	EXSHINE	Infrared emitting diode which mounted high power 850 nm IR CHIP	Detalles
SKI03021	Sanken	MOSFET N-CH 30V 85A TO-263	Detalles
SKI03036	Sanken	MOSFET N-CH 30V 80A TO-263	Detalles
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SKI03087	Sanken	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263	Detalles
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