SH8M70TB1

SH8M70TB1 - Rohm Semiconductor

Numero di parte
SH8M70TB1
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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SH8M70TB1 Descrizione dettagliata

Numero di parte SH8M70TB1
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Peso -
Paese d'origine -

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