SH8J31GZETB Descrizione dettagliata
Numero di parte |
SH8J31GZETB |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET |
- |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
70 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
40nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
2500pF @ 10V |
Potenza - Max |
2W |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto / caso |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore |
8-SOP |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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