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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › DTC623TUT106
DTC623TUT106

DTC623TUT106 - Rohm Semiconductor

Numero di parte
DTC623TUT106
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DTC623TUT106 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
DTC623TUT106.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
267408 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0988/pcs
Il nostro prezzo
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DTC623TUT106 Descrizione dettagliata

Numero di parte DTC623TUT106
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 150MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore UMT3
Peso -
Paese d'origine -

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