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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTC623TUT106
DTC623TUT106

DTC623TUT106 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTC623TUT106
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTC623TUT106 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DTC623TUT106.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
259716 pcs
Referenzpreis
USD 0.0988/pcs
Unser Preis
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DTC623TUT106 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTC623TUT106
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 20V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 150MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket UMT3
Gewicht -
Ursprungsland -

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