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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › BSM080D12P2C008
BSM080D12P2C008

BSM080D12P2C008 - Rohm Semiconductor

Numero di parte
BSM080D12P2C008
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
SIC POWER MODULE-1200V-80A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BSM080D12P2C008 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
10 pcs
Prezzo di riferimento
USD 308.11/pcs
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BSM080D12P2C008 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSM080D12P2C008
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 13.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
Potenza - Max 600W
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
BSM080D12P2C008 BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor SIC POWER MODULE-1200V-80A Dettagli