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BSM080D12P2C008

BSM080D12P2C008 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article: BSM080D12P2C008
Fabricant: Rohm Semiconductor
Brève description: SIC POWER MODULE-1200V-80A
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: BSM080D12P2C008 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: -
Catégorie: Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 10 pcs
Prix de référence: USD 308.11/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

BSM080D12P2C008 Description détaillée

Numéro d'article	BSM080D12P2C008
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 13.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
Puissance - Max	600W
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module
Poids	-
Pays d'origine	-

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