BR25G128FVT-3GE2 - Rohm Semiconductor

Numero di parte	BR25G128FVT-3GE2
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	EEPROM
Tecnologia	EEPROM
Dimensione della memoria	128Kb (16K x 8)
Frequenza di clock	20MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	5ms
Tempo di accesso	-
Interfaccia di memoria	SPI
Tensione - Fornitura	1.6 V ~ 5.5 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSSOP-B
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BR25G128F-3GE2	Rohm Semiconductor	SPI BUS EEPROM	Dettagli
BR25G128FJ-3GE2	Rohm Semiconductor	SPI BUS EEPROM	Dettagli
BR25G128FVM-3GTR	Rohm Semiconductor	SPI BUS EEPROM	Dettagli
BR25G128FVT-3GE2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8TSSOP	Dettagli
BR25G128NUX-3TR	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8VSON	Dettagli
BR25G1MF-3GE2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 1MBIT 10MHZ 8SOP	Dettagli
BR25G1MFJ-3GE2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 1MBIT 10MHZ 8SOPJ	Dettagli