BR25G128FVT-3GE2

BR25G128FVT-3GE2 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
BR25G128FVT-3GE2
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BR25G128FVT-3GE2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BR25G128FVT-3GE2.pdf
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
63808 pcs
Referenzpreis
USD 0.4231/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern BR25G128FVT-3GE2

BR25G128FVT-3GE2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BR25G128FVT-3GE2
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM
Speichergröße 128Kb (16K x 8)
Taktfrequenz 20MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 5ms
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle SPI
Spannungsversorgung 1.6 V ~ 5.5 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP-B
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR BR25G128FVT-3GE2