BR25G128FVT-3GE2 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	BR25G128FVT-3GE2
Teilstatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	EEPROM
Technologie	EEPROM
Speichergröße	128Kb (16K x 8)
Taktfrequenz	20MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	5ms
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	SPI
Spannungsversorgung	1.6 V ~ 5.5 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-TSSOP-B
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BR25G128F-3GE2	Rohm Semiconductor	SPI BUS EEPROM	Einzelheiten
BR25G128FJ-3GE2	Rohm Semiconductor	SPI BUS EEPROM	Einzelheiten
BR25G128FVM-3GTR	Rohm Semiconductor	SPI BUS EEPROM	Einzelheiten
BR25G128FVT-3GE2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8TSSOP	Einzelheiten
BR25G128NUX-3TR	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 128KBIT 20MHZ 8VSON	Einzelheiten
BR25G1MF-3GE2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 1MBIT 10MHZ 8SOP	Einzelheiten
BR25G1MFJ-3GE2	Rohm Semiconductor	IC EEPROM 1MBIT 10MHZ 8SOPJ	Einzelheiten