BD6562FV-LBE2 - Rohm Semiconductor

Numero di parte	BD6562FV-LBE2
Stato parte	Obsolete
Configurazione guidata	Low-Side
Tipo di canale	Independent
Numero di driver	2
Gate Type	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura	10 V ~ 25 V
Tensione logica - VIL, VIH	-
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello)	600mA, 600mA
Tipo di input	Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap)	-
Rise / Fall Time (Typ)	-
temperatura di esercizio	-25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	16-SSOPB
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	BD6562FV-LBE2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET 2CH 16SSOP	Dettagli
	BD6563FV-LBE2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET 3CH 16SSOP	Dettagli