BD6562FV-LBE2 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	BD6562FV-LBE2
État de la pièce	Obsolete
Configuration pilotée	Low-Side
Type de canal	Independent
Nombre de pilotes	2
Type de porte	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation	10 V ~ 25 V
Tension logique - VIL, VIH	-
Courant - sortie de crête (source, évier)	600mA, 600mA
Type d'entrée	Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap)	-
Rise / Fall Time (Typ)	-
Température de fonctionnement	-25°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur	16-SSOPB
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	BD6562FV-LBE2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET 2CH 16SSOP	Détails
	BD6563FV-LBE2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET 3CH 16SSOP	Détails